顆粒構(gòu)成的選擇
硅質(zhì)坯體加熱時(shí)的疏松和燒結(jié)才能取決于顆粒構(gòu)成中粗細(xì)兩種粒度的性質(zhì)和數(shù)目。

　采用細(xì)顆粒構(gòu)成的磚坯時(shí)，在燒成時(shí)有利于減少緊縮，減少磚體的裂紋和體積改動(dòng)，前進(jìn)制品率，還可前進(jìn)制品中鱗石英的含量，但泥料顆粒細(xì)致，也將招致硅磚氣孔率的前進(jìn)。

　相同往常硅磚的臨界粒度以2～3mm為好。

燒成
硅磚在燒成過程中發(fā)生相變，并有較大的體積變化，加上磚坯在燒成溫度下形成的熔液量較少(約10％左右)，使其燒成較其它耐火材料困難得多。
硅磚在燒成過程中的物理化學(xué)變化在150℃以下從磚坯中排出殘余水分在450℃時(shí)，Ca(OH)2開始分解；450～500℃時(shí)Ca(OH)2脫水完畢，硅石顆粒與石灰的結(jié)合破壞，坯體強(qiáng)度大為降低。在550～650℃范圍內(nèi)，?—石英轉(zhuǎn)變?yōu)棣痢?，由于轉(zhuǎn)變過程中伴有0.82％的體積膨脹，故石英晶體將出現(xiàn)密度不等的顯微裂紋。

燒成制度

在600℃以下，可用較快而均勻地升溫速度燒成。 在700℃以上至1100～1200℃溫度范圍內(nèi)，因磚坯體積變化不大，強(qiáng)度逐漸提高，不會(huì)產(chǎn)生過大應(yīng)力，只要磚坯加熱均勻，可盡快升溫。

1100～1200℃至燒成終了溫度的高溫階段，硅磚的密度顯著降低，晶體轉(zhuǎn)變及體積變化集中地發(fā)生在這一階段。它是決定磚坯出現(xiàn)裂紋與否的關(guān)鍵階段。這個(gè)階段升溫速度應(yīng)逐漸降低，并能緩慢均勻升溫。