在如上所述的電子零器件的小型化、高功能化的進(jìn)展中，半導(dǎo)體元件的發(fā)熱量具有增大的傾向。然而，若電子零器件長(zhǎng)時(shí)間暴露在高溫環(huán)境下，則壽命急劇減少。因此，對(duì)于芯片粘接材料散熱的要求越來(lái)越高。

終階段時(shí)孔洞變得不穩(wěn)定，相互融合產(chǎn)生更大孔洞。多晶材料中的燒結(jié)機(jī)理，只有晶界處和燒結(jié)頸的缺陷處的體積擴(kuò)散（volume diffusion）才能產(chǎn)生致密化。

但是以利用納米粒子進(jìn)行燒結(jié)接合的金屬而言，相較于銀，銅較容易變成氧化狀態(tài)，且使用比表面積較大的納米粒子，氧化傾向就更為顯著，氧化被膜一旦生成，將進(jìn)而導(dǎo)致接合時(shí)的阻礙，也因此氧化被膜的生成提高了銅燒結(jié)技術(shù)的難度。