半燒結(jié)銀AS9330的工藝流程如下：1 清潔芯片和被粘結(jié)的界面2 假設(shè)界面表面能太低，建議提高界面表面能.

半燒結(jié)銀AS9330 燒結(jié)結(jié)束時(shí)，建議在烘箱中逐步降溫到室溫再把器件拿出；燒結(jié)銀燒結(jié)時(shí)，要主要燒結(jié)溫度，燒結(jié)時(shí)間，燒結(jié)壓力”鐵三角“的調(diào)整問(wèn)題。

通過(guò)以上步驟，可以降低芯片封裝納米燒結(jié)銀的燒結(jié)溫度、減少燒結(jié)裂紋、降低燒結(jié)空洞率、提高燒結(jié)體的致密性和熱導(dǎo)率。