由于現(xiàn)有封裝技術(shù)的限制，特別是芯片與基板的互連技術(shù)，例如銀漿、聚合物材料，軟釬焊等互連技術(shù)由于焊料合金的低熔點、環(huán)氧樹脂的低溫分解等原因，使其不能在高溫環(huán)境下可靠工作，導(dǎo)致限制電力電子系統(tǒng)性能和可靠性的瓶頸從半導(dǎo)體芯片轉(zhuǎn)移到了封裝技術(shù)上來。

納米燒結(jié)銀互連層的工藝改進
善仁新材研究院比較了加壓微米燒結(jié)銀和無外加壓力納米燒結(jié)銀，通過實驗發(fā)現(xiàn)納米尺度下的銀具有比微米尺度下更高的燒結(jié)驅(qū)動力，避免了壓力燒結(jié)條件下對芯片和基板中造成缺陷和裂紋等現(xiàn)象，并發(fā)現(xiàn)了燒結(jié)溫度和燒結(jié)壓強的增加會降低燒結(jié)銀的孔隙大小，AS9375無壓燒結(jié)銀的納米銀互連層的結(jié)合強度可達45MPa。

總結(jié)和結(jié)論
本文通過對納米燒結(jié)銀互連層的形成原理、工藝、燒結(jié)后的微觀形態(tài)及熱、力學(xué)性能、蠕變本構(gòu)等方面進行了簡要綜述。