燒結(jié)銀AS9376用于激光雷達(dá)光學(xué)模組集成
?技術(shù)挑戰(zhàn)：
需將硅光芯片與光學(xué)元件無(wú)損互連，避免傳統(tǒng)焊接導(dǎo)致的界面反射損失。
?AS9376解決方案：
?納米級(jí)漿料：粒徑20-50 nm銀粉實(shí)現(xiàn)超薄互連層（厚度≤1 μm），插入損耗<0.1 dB。
?低溫工藝兼容：與UV固化工藝結(jié)合，避免高溫對(duì)光學(xué)元件的損傷。
假設(shè)?案例：Lumentum相干光引擎采用AS9376集成硅光芯片與光纖陣列，帶寬提升至1.6 Tbps。

燒結(jié)銀AS9376的微觀結(jié)構(gòu)：
SEM觀察燒結(jié)后銀層孔隙率（<2%）、晶粒尺寸（<50 nm）。
?電學(xué)性能：
四探針?lè)y(cè)接觸電阻（目標(biāo)<10 mΩ·mm2）和擊穿電壓（>100 V）。

燒結(jié)銀AS9375的可靠性測(cè)試：
PCT測(cè)試（100 bar/85℃）評(píng)估體積變化率（ΔV/V <0.5%）。
高溫加速老化（85℃/85%RH/1000小時(shí)）監(jiān)測(cè)電阻漂移率。

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