隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進一步提高,對功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高,特別是芯片與基板的互連技術很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。
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有壓銀燒結AS9385是一種新型的高可靠芯片粘接和鍵合技術,可確保無空隙和高強度鍵合,并具有的導熱性和導電性。 該技術可以將器件的結溫 (Tj) 低降至150℃。
相對于焊料合金,銀燒結技術可以更有效的提高大功率硅基IGBT模塊的工作環(huán)境溫度及使用壽命。目前,AS9385銀燒結技術已受到高溫功率電子領域的廣泛關注,它特別適合作為高溫SiC器件等寬禁帶半導體功率模塊的芯片互連界面材料。
芯片轉印是指將芯片在銀膜上壓一下,利用芯片銳利的邊緣,在銀膜上切出一個相同面積的銀膜并粘連到芯片背面。
燒結得到的連接層為多孔性結構,孔洞尺寸在微米及亞微米級別,連接層具有良好的導熱和導電性能,熱匹配性能良好。
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